LOW TEMPERATURE RECOMBINATION INTO SHALLOW DONORS IN GERMANIUM TRANSIENT CASE

dc.contributor.authorPICKIN, W
dc.date.accessioned2026-05-28T15:47:03Z
dc.date.issued1950
dc.description.paginacion1299 - 1303
dc.description.procedenciaEXT
dc.format.discursoArtículo
dc.format.extent5
dc.identifier.issn0038-1101
dc.identifier.urihttps://ahcm.cinvestav.mx/handle/ahcm/18315
dc.language.isoInglés
dc.numero.secuencia18312
dc.publisherUNIV NACL AUTONOMA MEXICO,ESCUELA NACL ESTUDIOS PROFESIONALES CUAUTITLAN,MEXICO CITY 20,MEXICO
dc.relation.ispartofseriesVol. 21 No. 40189
dc.source.revistafuenteSOLID STATE ELECTRONICS
dc.subjectLOWTEMPERATURE RECOMBINATION, SHALLOW DONORS, GERMANIUM TRANSIENT CASE
dc.subject.categoriaprincipalCIENCIAS TECNOLOGICAS
dc.subject.disciplinaTECNOLOGIA ELECTRONICA
dc.titleLOW TEMPERATURE RECOMBINATION INTO SHALLOW DONORS IN GERMANIUM TRANSIENT CASE
dc.title.alternativeSOLID STATE ELECTRON

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