HETEROSURFACE GAAS LIGHT EMITTING DIODES

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dc.contributor.authorTAKAHASHI, K
dc.contributor.authorLASTRAS MARTINEZ, A
dc.contributor.authorKONAGAI, M
dc.date.accessioned2026-05-28T16:34:49Z
dc.date.issued1973
dc.description.notasSE LE ASIGNO SUBDIVISION
dc.description.paginacion641 - 643
dc.description.procedenciaEXT
dc.format.discursoArtículo
dc.format.extent3
dc.identifier.issn0020-7217
dc.identifier.urihttps://ahcm.cinvestav.mx/handle/ahcm/24155
dc.language.isoInglés
dc.numero.secuencia24152
dc.publisherTOKYO INST TECHNOL,DEPT ELECTROPHYS,MEGURO,TOKYO,JAPAN
dc.publisherINST POLITEC NACL,CTR INVEST,MEXICO CITY 14,MEXICO
dc.relation.ispartofseriesVol. 38 No. 5
dc.source.revistafuenteINTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS
dc.subjectHETEROSURFACE GAAS, LIGHTEMITTING DIODES
dc.subject.categoriaprincipalCIENCIAS TECNOLOGICAS
dc.subject.disciplinaTECNOLOGIA ELECTRONICA
dc.subject.subdisciplinaDIODOS EMISORES DE LUZ
dc.titleHETEROSURFACE GAAS LIGHT EMITTING DIODES
dc.title.alternativeINT J ELECTRON

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